
在电子电路设计中,二极管是不可或缺的基础元件。其中,齐纳二极管(Zener Diode)和肖特基二极管(Schottky Diode)因其独特的电气特性,在稳压与高速整流等场景中广泛应用。本文将从工作原理、电压-电流特性、响应速度、应用场景等多个维度进行系统对比,帮助工程师科学选型。
齐纳二极管:基于雪崩击穿或齐纳击穿机制,在反向偏置条件下当电压达到特定阈值(齐纳电压)时,二极管进入导通状态,从而实现稳定电压输出。其主要功能是作为电压参考或过压保护器件。
肖特基二极管:利用金属-半导体结形成的势垒,具有较低的正向压降(通常为0.2~0.3V),且无少数载流子存储效应,因此具备极快的开关速度,常用于高频整流和电源管理电路。
| 特性 | 齐纳二极管 | 肖特基二极管 |
|---|---|---|
| 正向压降 | 0.6–0.7V(硅基) | 0.2–0.3V |
| 反向漏电流 | 较低,但随温度升高而增加 | 相对较高 |
| 开关速度 | 较慢,存在电荷存储延迟 | 极快,纳秒级响应 |
| 击穿电压范围 | 2.4V ~ 200V+(可定制) | 一般低于100V |
齐纳二极管典型应用:
肖特基二极管典型应用:
在实际工程中,应根据具体需求权衡二者优劣:
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